sem能谱的能量分辨率是多少

扫描电子显微镜（SEM）配备的能谱仪（EDS）的能量分辨率是衡量其区分相邻能量峰能力的关键指标，通常以特定能量峰的半高全宽（FWHM）表示，单位为电子伏特（eV）。

目前主流的硅漂移探测器（SDD）在标准测试条件下（如Mn Kα线，5.89 keV），其能量分辨率通常在120-150 eV范围内。更高端的探测器可接近120 eV，而传统Si(Li)探测器约为130-150 eV。以下是典型能谱仪性能对比：

影响能量分辨率的关键因素包括：

1. 探测器材料与工艺：SDD的电荷收集效率优于传统Si(Li)，减少了信号损失。

2. 电子束参数：高束流会提高计数率但可能导致分辨率下降。

3. 信号处理系统：数字脉冲处理器通过优化滤波时间常数可平衡分辨率与计数率。

4. 冷却稳定性：探测器温度波动需控制在±0.1°C以内，以降低噪声。

扩展说明：

• 波谱仪（WDS）作为替代技术，分辨率可达2-10 eV，但分析速度显著低于EDS。

• 国际标准ISO 15632规定了EDS性能测试方法，要求使用Mn Kα或Cu Kα作为参考峰。

• 现代大面积SDD探测器（如100 mm²）通过多通道设计，可在高计数率下保持分辨率优于130 eV。

典型场景中的分辨率表现：

• 轻元素分析（如C Kα, 277 eV）：分辨率需≤130 eV才能区分B（183 eV）和C峰。

• 重元素相邻峰分离（如S Kα和Mo Lα）：峰间距需＞3倍FWHM才能实现有效识别。